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DRAM(Dynamic Random Access Memory)

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DRAM(Dynamic Random Access Memory)の要約

DRAM(Dynamic Random Access Memory)は、コンピュータの主記憶装置として広く利用されている半導体メモリです。情報を微小なキャパシタに電荷として蓄えますが、この電荷は時間と共に失われるため、定期的なリフレッシュ(記憶保持動作)が必要です。この「動的」な性質が名前の由来となっています。

リフレッシュ不要なSRAM(Static Random Access Memory)に比べて常に電力を消費するものの、大容量を安価に製造できる利点から、パソコンの主記憶装置や多くの情報機器で大規模な作業用メモリとして採用されています。

基本構造は、1つのキャパシタと1つのFETで構成される「メモリセル」を碁盤の目状に配置したアレイで、キャパシタの電荷の有無で「1」と「0」を表現します。読み書きは、ワード線とビット線で特定のセルを選択し、センスアンプで微弱な電位の変化を増幅して処理します。

技術の進歩と共に高速化・大容量化が進み、高速ページモード付きDRAMやEDO DRAM、SDRAMなどが開発され、現在はDDR SDRAMが主流です。DDR SDRAMも世代を重ね、DDR2、DDR3、DDR4、そして最新のDDR5 SDRAMへと進化を続けています。

DRAM産業は巨額の設備投資が必要なため、「シリコンサイクル」と呼ばれる好不況の波に大きく影響されます。過去には激しい価格競争や業界再編も経験してきました。このようにDRAMは、その構造的な特徴と技術革新、そして産業構造の変化の中で、現代の情報社会を支える重要な基盤技術として発展を続けています。

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